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聯(lián)合微電子創(chuàng)新中心工程批硅基光芯片亮相

聯(lián)合微電子創(chuàng)新中心工程批硅基光芯片亮相

光損耗率等核心指標(biāo)領(lǐng)先全球

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近日,位于西永微電園的聯(lián)合微電子創(chuàng)新中心,其自主研發(fā)的8吋硅基光電子特色工藝平臺(tái)生產(chǎn)的第一張工程批硅基光芯片在這里展示,其光損耗率等核心指標(biāo)領(lǐng)先全球。

重慶圍繞“芯屏器核網(wǎng)”全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,大力推進(jìn)關(guān)鍵零部件研發(fā)創(chuàng)新,依托英特爾FPGA創(chuàng)新中心、聯(lián)合微電子創(chuàng)新中心等研發(fā)機(jī)構(gòu),聯(lián)合企業(yè)和科研院所開展攻關(guān),在功率半導(dǎo)體、硅光、中高頻器件、傳感器等領(lǐng)域加大研發(fā)力度,努力打造全國重要的電子核心零部件產(chǎn)業(yè)聚集地。

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