原標(biāo)題：
重慶科研在硅光領(lǐng)域取得重大突破
西部（重慶）科學(xué)城研發(fā)出我國(guó)首個(gè)自主開發(fā)的180納米成套硅光工藝
聯(lián)合微電子中心工程師在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行工藝測(cè)試。（受訪者供圖）
重慶科研在硅光領(lǐng)域取得重大突破。6月6日，記者從重慶高新區(qū)獲悉，位于西部（重慶）科學(xué)城西永微電園的聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司，面向全球發(fā)布了我國(guó)首個(gè)自主開發(fā)的180納米成套硅光工藝設(shè)計(jì)工具，并建成國(guó)內(nèi)首個(gè)硅光芯片全流程封裝測(cè)試實(shí)驗(yàn)室。
這標(biāo)志著重慶已具備硅光領(lǐng)域全流程自主工藝制造能力，并開始向全球提供硅光芯片流片服務(wù)和光電設(shè)計(jì)自動(dòng)化設(shè)計(jì)服務(wù)。
據(jù)悉，硅光是以光子和電子為信息載體的硅基光電子大規(guī)模集成技術(shù)，能夠大大提高集成芯片的性能，是大數(shù)據(jù)、人工智能、未來(lái)移動(dòng)通信等新興產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)性支撐技術(shù)，可廣泛應(yīng)用于大數(shù)據(jù)中心、5G、物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)。
硅光芯片是通過標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝將硅光材料和器件集成在一起的集成光路，主要由調(diào)制器、探測(cè)器、無(wú)源波導(dǎo)器件等組成，它可以將多種光器件集成在同一硅基襯底上。
“5G時(shí)代，對(duì)數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊笤絹?lái)越高，傳統(tǒng)的電芯片在信號(hào)傳輸模式上遇到帶寬、功耗、延時(shí)等一系列瓶頸問題。”聯(lián)合微電子中心相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，此次公司耗時(shí)近一年，開發(fā)出國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的180納米成套硅光工藝，可將光的極高帶寬、超快速率和高抗干擾特性，以及微電子技術(shù)在大規(guī)模集成、低成本等方面的優(yōu)勢(shì)進(jìn)行結(jié)合，形成一個(gè)完整的、具有綜合功能的新型大規(guī)模光電集成芯片。
此外，硅光芯片自動(dòng)化封裝也是業(yè)內(nèi)難題。聯(lián)合微電子中心建成了國(guó)內(nèi)首個(gè)硅光芯片全流程封裝測(cè)試實(shí)驗(yàn)室。最新的封裝技術(shù)可以將光、電、溫控等進(jìn)行系統(tǒng)集成，為硅光芯片實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和產(chǎn)業(yè)化掃清一大技術(shù)障礙。
比利時(shí)皇家科學(xué)院院士、根特大學(xué)教授羅爾·巴茨表示，此次聯(lián)合微電子中心發(fā)布的180納米成套硅光工藝，標(biāo)志著該公司具備硅光領(lǐng)域全流程自主工藝制造能力，是硅光領(lǐng)域的一大進(jìn)步。
近年來(lái)，重慶高新區(qū)依托光電子和微電子領(lǐng)域的創(chuàng)新平臺(tái)，在硅光領(lǐng)域率先布局，在科研基地、研發(fā)平臺(tái)、人才團(tuán)隊(duì)等方面都加大了投入。據(jù)悉，2018年在西永微電園掛牌成立的聯(lián)合微電子中心，計(jì)劃用3至5年時(shí)間建設(shè)成為光電融合高科技領(lǐng)域的國(guó)家級(jí)創(chuàng)新平臺(tái)，將助力完善重慶市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈條，優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)體系，為國(guó)家新一代信息基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、打造成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟(jì)圈和西部（重慶）科學(xué)城提供科技支撐。
（記者 李星婷）
