新華社倫敦5月5日電?一項(xiàng)新近發(fā)表在英國(guó)《自然》期刊上的國(guó)際研究表明，用一種新方法對(duì)半導(dǎo)體材料氧化亞銅進(jìn)行“扭曲”后，發(fā)現(xiàn)其捕獲光能后轉(zhuǎn)化為可用電能的性能提升70%。這種方法有望制造性能更好的低成本光電材料。
銅氧化物是價(jià)格低廉、儲(chǔ)量豐富的半導(dǎo)體材料，具有良好的導(dǎo)電性和光學(xué)性能，可用于制造太陽(yáng)能電池、光電器件、傳感器等。銅氧化物雖然在捕捉陽(yáng)光并將其轉(zhuǎn)化為電荷方面相當(dāng)有效，但容易丟失電荷，材料性能有限。
研究人員說(shuō)，他們發(fā)現(xiàn)電荷在這種半導(dǎo)體材料中沿著對(duì)角線(xiàn)方向移動(dòng)時(shí)，比沿著表面或邊緣移動(dòng)要遠(yuǎn)得多，而能讓電荷移動(dòng)得更遠(yuǎn)就意味著材料性能更好。
為優(yōu)化這種低成本材料的性能，研究人員利用薄膜沉積技術(shù)，在常溫常壓下制備出高質(zhì)量的氧化亞銅晶體薄膜，通過(guò)精確控制晶體的生長(zhǎng)和流速，使晶體的生長(zhǎng)方向“扭向”對(duì)角線(xiàn)方向，并觀察晶體的生長(zhǎng)方向如何影響電荷在材料中的有效移動(dòng)。
他們發(fā)現(xiàn)，對(duì)這種新技術(shù)制造的氧化亞銅光電陰極的測(cè)試表明，與現(xiàn)有的電沉積氧化物制成的光電陰極相比，性能提高70%以上，同時(shí)晶體薄膜穩(wěn)定性也顯著提升。
